充电器凭什么越做越小？两块"石头"掀翻了硅的七十年王座 #在合集看百态 #氮化镓 #碳化硅 #化学 #中国 氮化镓与碳化硅宽禁带半导体技术（中国） 中国在氮化镓（GaN）功率器件与碳化硅（SiC）衬底领域实现突破。GaN 用于手机快充、5G 基站射频；SiC 用于新能源汽车电驱与充电桩。2023 年中国 6 英寸 SiC 衬底量产，向 8 英寸迈进，打破美国科锐、德国英飞凌垄断。 原理：GaN 禁带宽度 3.4 eV，击穿电场高，异质结（AlGaN/GaN）界面形成二维电子气（2DEG），电子迁移率极高，适合高频大功率。SiC 禁带 3.26 eV，热导率是硅的 3 倍，PVT 法（物理气相传输）生长单晶，适合 1200V 以上高压场景。
作者：教*****************w
音乐：@教*****************w创作的原声
时长：17:19
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更新时间：2026年8月1日 08:10